行業聚焦 | 多晶硅太陽能電池的制作工藝

一、多晶硅太陽能板，電子束蒸發和電鍍

一般，使用正膠剝離工藝，蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極，要減小金屬電極所引起的串聯電阻，往往需要金屬層比較厚（8～10微米）。缺點是電子束蒸發造成硅外表/鈍化層介面損害，使外表復合進步，因而，工藝中，選用短時蒸發Ti/Pa層，在蒸發銀層的工藝。

另一個問題是金屬與硅接觸面較大時，必將導致少子復合速度進步。工藝中，選用了隧道結接觸的辦法，在硅和金屬成間構成一個較薄的氧化層（一般厚度為20微米左右）應刻苦函數較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應一個穩定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。

另外一種辦法是在鈍化層上開出小窗口（小于2微米），再淀積較寬的金屬柵線（一般為10微米），構成mushroom-like狀電極，用該辦法在100px2 Mc-Si上電池的轉化功率到達17.3％。

二、PN結的構成技能

1、發射區構成和磷吸雜 : 關于高效太陽能電池，發射區的構成一般選用選擇分散，在金屬電極下方構成重雜質區域而在電極間完結淺濃度分散，發射區的淺濃度分散即增強了電池對藍光的響應，又使硅外表易于鈍化。分散的辦法有兩步分散工藝、分散加腐蝕工藝和埋葬分散工藝。目前選用選擇分散，15×375px2電池轉化功率到達16.4%，n++、n+區域的外表方塊電阻分別為20Ω和80Ω。

關于Mc-Si資料，擴磷吸雜對電池的影響得到廣泛的研討，較長時刻的磷吸雜進程（一般3～4小時），可使一些Mc-Si的少子分散長度進步兩個數量級。在對襯底濃度對吸雜效應的研討中發現，即使對高濃度的襯第資料，經吸雜也可以取得較大的少子分散長度（大于200微米），電池的開路電壓大于638mv, 轉化功率超越17％。單晶太陽能電池板

2、背外表場的構成及鋁吸雜技能 : 在Mc-Si電池中，背p+p結由均勻分散鋁或硼構成，硼源一般為BN、Bp、APCVD SiO2：B2O8等，鋁分散為蒸發或絲網印刷鋁，800度下燒結所完結，對鋁吸雜的作用也開展了大量的研討，與磷分散吸雜不同，鋁吸雜在相對較低的溫度下進行。其中體缺點也參加了雜質的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質易于溶解進入硅中，對Mc-Si發生晦氣的影響。到目前為至，區域背場已使用于單晶硅電池工藝中，但在多晶硅中，仍是使用全鋁背外表場結構。

3、雙面Mc-Si電池 : Mc-Si雙面電池其正面為慣例結構，反面為N＋和P＋相互穿插的結構，這樣，正面光照發生的但位于反面鄰近的光生少子可由背電極有用吸收。背電極作為對正面電極的有用補充，也作為一個獨立的栽流子收集器對反面光照和散射光發生作用。

三、外表和體鈍化技能

關于Mc-Si，因存在較高的晶界、點缺點（空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物）對資料外表和體內缺點的鈍化尤為重要，除前面說到的吸雜技能外，鈍化工藝有多種辦法，通過熱氧化使硅懸掛鍵飽滿是一種比較常用的辦法，可使Si-SiO2界面的復合速度大大下降，其鈍化作用取決于發射區的外表濃度、界面態密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化作用更加顯著。選用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有用，由于在成膜的進程中具有加氫的作用。該工藝也可使用于規?；霎a中。太陽能板

四、工業化電池工藝

太陽電池從研討室走向工廠，試驗研討走向規?；霎a是其發展的道路，所以可以到達工業化出產的特征應該是：

（1）電池的制造工藝可以滿足流水線作業；

（2）可以大規模、現代化出產；

（3）到達高效、低成本。當然，其主要目標是降低太陽電池的出產成本。