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    行業聚焦 | 多晶硅太陽能電池的制作工藝

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    行業聚焦 | 多晶硅太陽能電池的制作工藝

    發布日期:2021-10-20 00:00 來源:http://www.dwfgggongsi.cn 點擊:

    一、多晶硅太陽能板,電子束蒸發和電鍍


    一般,使用正膠剝離工藝,蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極,要減小金屬電極所引起的串聯電阻,往往需要金屬層比較厚(8~10微米)。缺點是電子束蒸發造成硅外表/鈍化層介面損害,使外表復合進步,因而,工藝中,選用短時蒸發Ti/Pa層,在蒸發銀層的工藝。



    另一個問題是金屬與硅接觸面較大時,必將導致少子復合速度進步。工藝中,選用了隧道結接觸的辦法,在硅和金屬成間構成一個較薄的氧化層(一般厚度為20微米左右)應刻苦函數較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應一個穩定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。



    另外一種辦法是在鈍化層上開出小窗口(小于2微米),再淀積較寬的金屬柵線(一般為10微米),構成mushroom-like狀電極,用該辦法在100px2 Mc-Si上電池的轉化功率到達17.3%。



    二、PN結的構成技能


    1、發射區構成和磷吸雜 : 關于高效太陽能電池,發射區的構成一般選用選擇分散,在金屬電極下方構成重雜質區域而在電極間完結淺濃度分散,發射區的淺濃度分散即增強了電池對藍光的響應,又使硅外表易于鈍化。分散的辦法有兩步分散工藝、分散加腐蝕工藝和埋葬分散工藝。目前選用選擇分散,15×375px2電池轉化功率到達16.4%,n++、n+區域的外表方塊電阻分別為20Ω和80Ω。



    關于Mc-Si資料,擴磷吸雜對電池的影響得到廣泛的研討,較長時刻的磷吸雜進程(一般3~4小時),可使一些Mc-Si的少子分散長度進步兩個數量級。在對襯底濃度對吸雜效應的研討中發現,即使對高濃度的襯第資料,經吸雜也可以取得較大的少子分散長度(大于200微米),電池的開路電壓大于638mv, 轉化功率超越17%。單晶太陽能電池板



    2、背外表場的構成及鋁吸雜技能 : 在Mc-Si電池中,背p+p結由均勻分散鋁或硼構成,硼源一般為BN、Bp、APCVD SiO2:B2O8等,鋁分散為蒸發或絲網印刷鋁,800度下燒結所完結,對鋁吸雜的作用也開展了大量的研討,與磷分散吸雜不同,鋁吸雜在相對較低的溫度下進行。其中體缺點也參加了雜質的溶解和沉積,而在較高溫度下,沉積的雜質易于溶解進入硅中,對Mc-Si發生晦氣的影響。到目前為至,區域背場已使用于單晶硅電池工藝中,但在多晶硅中,仍是使用全鋁背外表場結構。



    3、雙面Mc-Si電池 : Mc-Si雙面電池其正面為慣例結構,反面為N+和P+相互穿插的結構,這樣,正面光照發生的但位于反面鄰近的光生少子可由背電極有用吸收。背電極作為對正面電極的有用補充,也作為一個獨立的栽流子收集器對反面光照和散射光發生作用。


    多晶硅太陽能板

    三、外表和體鈍化技能


    關于Mc-Si,因存在較高的晶界、點缺點(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)對資料外表和體內缺點的鈍化尤為重要,除前面說到的吸雜技能外,鈍化工藝有多種辦法,通過熱氧化使硅懸掛鍵飽滿是一種比較常用的辦法,可使Si-SiO2界面的復合速度大大下降,其鈍化作用取決于發射區的外表濃度、界面態密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化作用更加顯著。選用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有用,由于在成膜的進程中具有加氫的作用。該工藝也可使用于規?;霎a中。太陽能板



    四、工業化電池工藝

     

    太陽電池從研討室走向工廠,試驗研討走向規?;霎a是其發展的道路,所以可以到達工業化出產的特征應該是:

    (1)電池的制造工藝可以滿足流水線作業;

    (2)可以大規模、現代化出產;

    (3)到達高效、低成本。當然,其主要目標是降低太陽電池的出產成本。


    相關標簽:單晶太陽能電池板,多晶硅太陽能板,太陽能板

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